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IXFR 50N50
IXFR 55N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
ISOPLUS 247 OUTLINE
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = I T
Note 1
45
9400
S
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
1280
460
45
60
120
45
330
55
155
0.15
0.30
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V
55N50
50N50
55N50
50N50
55
50
220
200
1.5
250
A
A
A
A
V
ns
Q RM
I RM
I F = 25A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.0
10
μ C
A
See IXFK55N50 data sheet for
characteristic curves.
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2. I T test current:
50N50 I T = 25A
55N50 I T = 27.5A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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